最近情况有了变化。因为美国普瑞光电公司开发出了能减轻GaN晶体与Si基板的不匹配问题的技术，东芝采用该技术快速推进了GaN on Si技术的实用化。

　　东芝还在快速提高LED的发光效率等性能。2012年12月推出的首款产品，发光效率在施加350mA电流时为112lm/W，而2014年3月提高到了135lm/W。另外，还计划使2014年10月推出的第四款产品达到170lm/W，使2015年4月推出的产品达到190lm/W。如果能实现，那么只用一年半就实现了以往的白色LED技术用5年多时间提高的性能。意昂官网注册

　　福冈介绍说，“Si基板上的GaN缺陷密度高达5～8×108个/cm2，是采用普通蓝宝石基板时的约2倍。不过，通过研究开发，削减到了与蓝宝石基板差不多的3×108个/cm2。在不久的将来，性能将追上蓝宝石基板。成品率也比较高”。顺便一提，在东芝等的技术中，吸收光的Si基板会在中途去除，因此不会出现问题。

　　不过还有课题。东芝等的技术采用的Si基板是半导体不常用的（111）晶体面的Si。福冈说，这是“为了提高与GaN的匹配性”。但这样的话，利用现有半导体制造装置对Si基板面进行微细加工等的工序就无法使用了。比如，在蓝宝石基板的表面形成凹凸以提高LED光提取效率的“PSS（Patterned Sapphire Substrate）”技术就难以用于Si基板。

　　在GaN on Si技术的研究中，还有人在开发能消除这种制约，从而全面发挥利用现有半导体制造装置的优势的方法。名古屋大学天野研究室开发出了在普通半导体技术采用的Si（001）面上生长GaN晶体的技术。重点是在Si与AlN之间夹住某金属层。而且，由于金属层会反射GaN的光，因此也不用去除Si。另外还有一些其他优点，比如“与金属层掺杂的Si基板能直接作为电极使用”（天野）。

　　目前，在GaN on Si技术注2）上，除东芝外，还有很多其他企业纷纷参战。但东芝已经超越了单纯的LED芯片制造，又出了新招。该公司开发的CSP（Chip Scale Package）技术已于2014年3月实用化，该技术是在晶圆上封装利用GaN on Si技术制作的LED芯片（图10）。

　　东芝CSP技术的制造流程概要（a）以及与以往封装的不同（b）。即使采用相同尺寸的LED芯片，封装的面积也只有1/10。

　　注2）抢在东芝之前全球率先量产采用GaN on Si技术的LED芯片的中国晶能光电、继东芝之后于2013年3月开始生产8英寸晶圆的法国Aledia、德国欧司朗光电半导体、NTT、荷兰飞利浦流明等。韩国三星电子也开发出了采用8英寸硅晶圆的技术。坚持进行研究开发的日本企业就更多了。

　　以往的采用蓝宝石基板的LED也开发出了CSP技术，但据称东芝的LED使用Si基板，CSP工序也可沿用现有半导体制造技术，制造更容易。例如，在基板的去除工序中，蓝宝石基板需要使用激光，而Si基板只需蚀刻即可。